Energijski nivoji v MOSFET

Iz Fizika trdne snovi 2007 - 2008

(Primerjava redakcij)
Skoči na: navigacija, iskanje
Redakcija: 15:07, 24 maj 2008 (spremeni)
84.52.166.80 (Pogovor)
(New page: == Naloga== Obravnavaj kontaktno ravnino med izolatorjem in polprevodnikom v '''MOSFET''' (metal-oxide-semiconductor field effect transistor), z močnim električnim poljem na njunem stik...)
← Pojdi na prejšnje urejanje
Trenutna redakcija (12:34, 9 februar 2009) (spremeni) (undo)
Asistent (Pogovor | prispevki)
m (vrnitev sprememb uporabnika »77.252.33.106« (pogovor) na zadnje urejanje uporabnika »Timon«)
 
( not shown.)
Vrstica 1: Vrstica 1:
-== Naloga==+[[Media:MOSFET.pdf|Rešitev]]
- +
-Obravnavaj kontaktno ravnino med izolatorjem in polprevodnikom v '''MOSFET''' (metal-oxide-semiconductor field effect transistor), z močnim električnim poljem na njunem stiku. Z variacijskim principom poišči energijo osnovnega stanja in jo primerjaj s pravo vrednostjo.+

Trenutna redakcija

Rešitev