Iz Fizika trdne snovi
(Primerjava redakcij)
|
|
Vrstica 71: |
Vrstica 71: |
| |Kemijski potencial v dopiranih polprevodnikih | | |Kemijski potencial v dopiranih polprevodnikih |
| |- | | |- |
− | <!--|BGCOLOR="#FFFF00"|8. 5. 2015
| + | |BGCOLOR="#FFFF00"|15. 5. 2018 |
− | |Ciklotronska efektivna masa | + | |Ciklotronska efektivna masa<br>Blochove oscilacije<br>Termoelektrični pojav v polprevodniku |
| |- | | |- |
− | |BGCOLOR="#FFFF00"|26. 5. 2015 | + | <!--|BGCOLOR="#FFFF00"|22. 5. 2018 |
| |Mrežna nihanja verige z alternirajočo konstanto vzmeti<br>Mrežna nihanja 2D kristala s prednapetimi vzmetmi | | |Mrežna nihanja verige z alternirajočo konstanto vzmeti<br>Mrežna nihanja 2D kristala s prednapetimi vzmetmi |
| |- | | |- |
− | |BGCOLOR="#FFFF00"|2. 6. 2015 | + | |BGCOLOR="#FFFF00"|29. 5. 2018 |
| |Peierlsova nestabilnost | | |Peierlsova nestabilnost |
| |- | | |- |
Redakcija: 09:04, 21. maj 2018
Predavatelj
prof. Janez Bonča
Zapiski
Asistent
Tomaž Rejec
Institut Jožef Stefan, odsek F1, pisarna: C245
Telefon: 01 477 3506
E-mail: tomaz.rejec@ijs.si
Vaje
Vaje so ob torkih od 10h do 12h v predavalnici F2.
Datum:
|
Vaja:
|
20. 2. 2018
|
Polnitveno razmerje
|
22. 2. 2018
|
Gosta sklada AB in ABC Wigner-Seitzova osnovna celica
|
27. 2. 2018
|
Grupa simetrijskih operacij Recipročna mreža
|
6. 3. 2018
|
Bravaisove mreže Strukturni faktorji Sipanje rentgenskih žarkov
|
13. 3. 2018
|
Gostota stanj elektronskega plina Sommerfeldov razvoj
|
20. 3. 2018
|
Kronig-Penneyev model kristala
|
21. 3. 2018
|
Kronig-Penneyev model v limiti šibkega potenciala
|
27. 3. 2018
|
Razcep stanj v presečišču Braggovih ravnin
|
3. 4. 2018
|
Fermijeva površina v približku šibkega potenciala
|
10. 4. 2018
|
Kronig-Penneyev model v približku tesne vezi
|
17. 4. 2018
|
Približek tesne vezi: FCC
|
24. 4. 2018
|
Gostota stanj v približku tesne vezi: kvadratna mreža
|
26. 4. 2018
|
Približek tesne vezi: grafen
|
8. 5. 2018
|
Kemijski potencial v dopiranih polprevodnikih
|
15. 5. 2018
|
Ciklotronska efektivna masa Blochove oscilacije Termoelektrični pojav v polprevodniku
|
Kolokviji in izpiti