Energijski nivoji v MOSFET - Zgodovina strani

Asistent: vrnitev sprememb uporabnika »77.252.33.106« (pogovor) na zadnje urejanje uporabnika »Timon«

2009-02-09T12:34:13Z

vrnitev sprememb uporabnika »77.252.33.106« (pogovor) na zadnje urejanje uporabnika »Timon«

← Starejša redakcija		Redakcija: 12:34, 9 februar 2009
Vrstica 1:		Vrstica 1:
-	upvDOC <a href="http://jbhspekrhgrw.com/">jbhspekrhgrw</a>, [url=http://atzrorowgznv.com/]atzrorowgznv[/url], [link=http://yajextfojpyn.com/]yajextfojpyn[/link], http://xnfnokksuntd.com/	+	[[Media:MOSFET.pdf\|Rešitev]]

77.252.33.106: -1

2008-09-19T01:13:21Z

-1

← Starejša redakcija		Redakcija: 01:13, 19 september 2008
Vrstica 1:		Vrstica 1:
-	[[Media:MOSFET.pdf\|Rešitev]]	+	upvDOC <a href="http://jbhspekrhgrw.com/">jbhspekrhgrw</a>, [url=http://atzrorowgznv.com/]atzrorowgznv[/url], [link=http://yajextfojpyn.com/]yajextfojpyn[/link], http://xnfnokksuntd.com/

Timon ob 18:34, 26 maj 2008

2008-05-26T18:34:21Z

← Starejša redakcija		Redakcija: 18:34, 26 maj 2008
Vrstica 1:		Vrstica 1:
-	[[Media:MOSFET.pdf]]	+	[[Media:MOSFET.pdf\|Rešitev]]

Timon ob 18:31, 26 maj 2008

2008-05-26T18:31:35Z

← Starejša redakcija	Redakcija: 18:31, 26 maj 2008
Vrstica 1:	Vrstica 1:
-	+	[[Media:MOSFET.pdf]]

89.143.88.18: Removing all content from page

2008-05-25T18:03:23Z

Removing all content from page

← Starejša redakcija		Redakcija: 18:03, 25 maj 2008
Vrstica 1:		Vrstica 1:
-	== Naloga==

-	Obravnavaj kontaktno ravnino med izolatorjem in polprevodnikom v '''MOSFET''' (metal-oxide-semiconductor field effect transistor), z močnim električnim poljem na njunem stiku. Z variacijskim principom poišči energijo osnovnega stanja in jo primerjaj s pravo vrednostjo.
-
-
-	== Rešitev ==
-
-	Zasukajmo koordinatni sistem tako, da ležita osi -y in -z v ravnini stične ploskve, os -x pa pravokotno nanjo. Izhodišče postavimo na mejo izolatorja in polprevodnika.
-
-	S tem, ko priključimo napetost na kovinsko stran tranzistorja, se ves naboj nabere na meji kovine in izolatorja, ki ne prevaja in tako na polprevodniški strani ustvarja enak potencial za prevodniške elektrone, kot bi ga pozitivno nabita plošča kondenzatorja, z drugo ploščo v neskončnosti.
-
-	V(x)
-
-	Ta linearna aproximacija velja le v bližini stika, saj se na polprevodniški strani stika naberejo elektroni, ki zasenčijo polje pozitivne plošče kondenzatorja in tako daleč stran od stika pustijo enrgijske pasove nespremenjene. Le v bližini stiki se valenčni in prevodni pas upogneta nekoliko navzdol, proti nižjim energijam in v prvem približku naraščata kar linearno z odmikom -x.
-
-	Schrodingerjevo enačbo za prevodniške elektrone rešujemo z nastavkom:
-
-	<math>
-	\psi(x)=
-	</math>
-
-	pri čemer smo valovno funkcijo separirali na ravne valove v -y in v -z smeri ter na funkcijo u(x).
-
-	<math>
-	-\frac{\hbar^2}{2m} \grad^2\psi(x) + \V(x)\psi(x)=\ksi(x)\psi(x)
-	</math>

84.52.166.80 ob 00:48, 25 maj 2008

2008-05-25T00:48:48Z

← Starejša redakcija		Redakcija: 00:48, 25 maj 2008
Vrstica 23:		Vrstica 23:

	<math>		<math>
-	-\frac{\hbar^2}{2m} \nabla^2\psi(x) + \V(x)\psi(x)=\ksi(x)\psi(x)	+	-\frac{\hbar^2}{2m} \grad^2\psi(x) + \V(x)\psi(x)=\ksi(x)\psi(x)
	</math>		</math>

84.52.166.80 ob 00:47, 25 maj 2008

2008-05-25T00:47:01Z

← Starejša redakcija		Redakcija: 00:47, 25 maj 2008
Vrstica 20:		Vrstica 20:
	</math>		</math>

-	pri čemer smo valovno funkcijo separirali na ravne valove v -y in -z smeri	+	pri čemer smo valovno funkcijo separirali na ravne valove v -y in v -z smeri ter na funkcijo u(x).
		+
		+	<math>
		+	-\frac{\hbar^2}{2m} \nabla^2\psi(x) + \V(x)\psi(x)=\ksi(x)\psi(x)
		+	</math>

84.52.166.80 ob 19:10, 24 maj 2008

2008-05-24T19:10:45Z

← Starejša redakcija		Redakcija: 19:10, 24 maj 2008
Vrstica 2:		Vrstica 2:

	Obravnavaj kontaktno ravnino med izolatorjem in polprevodnikom v '''MOSFET''' (metal-oxide-semiconductor field effect transistor), z močnim električnim poljem na njunem stiku. Z variacijskim principom poišči energijo osnovnega stanja in jo primerjaj s pravo vrednostjo.		Obravnavaj kontaktno ravnino med izolatorjem in polprevodnikom v '''MOSFET''' (metal-oxide-semiconductor field effect transistor), z močnim električnim poljem na njunem stiku. Z variacijskim principom poišči energijo osnovnega stanja in jo primerjaj s pravo vrednostjo.
		+
		+
		+	== Rešitev ==
		+
		+	Zasukajmo koordinatni sistem tako, da ležita osi -y in -z v ravnini stične ploskve, os -x pa pravokotno nanjo. Izhodišče postavimo na mejo izolatorja in polprevodnika.
		+
		+	S tem, ko priključimo napetost na kovinsko stran tranzistorja, se ves naboj nabere na meji kovine in izolatorja, ki ne prevaja in tako na polprevodniški strani ustvarja enak potencial za prevodniške elektrone, kot bi ga pozitivno nabita plošča kondenzatorja, z drugo ploščo v neskončnosti.
		+
		+	V(x)
		+
		+	Ta linearna aproximacija velja le v bližini stika, saj se na polprevodniški strani stika naberejo elektroni, ki zasenčijo polje pozitivne plošče kondenzatorja in tako daleč stran od stika pustijo enrgijske pasove nespremenjene. Le v bližini stiki se valenčni in prevodni pas upogneta nekoliko navzdol, proti nižjim energijam in v prvem približku naraščata kar linearno z odmikom -x.
		+
		+	Schrodingerjevo enačbo za prevodniške elektrone rešujemo z nastavkom:
		+
		+	<math>
		+	\psi(x)=
		+	</math>
		+
		+	pri čemer smo valovno funkcijo separirali na ravne valove v -y in -z smeri

84.52.166.80: New page: == Naloga== Obravnavaj kontaktno ravnino med izolatorjem in polprevodnikom v '''MOSFET''' (metal-oxide-semiconductor field effect transistor), z močnim električnim poljem na njunem stik...

2008-05-24T15:07:24Z

New page: == Naloga== Obravnavaj kontaktno ravnino med izolatorjem in polprevodnikom v '''MOSFET''' (metal-oxide-semiconductor field effect transistor), z močnim električnim poljem na njunem stik...

Nova stran

== Naloga==

Obravnavaj kontaktno ravnino med izolatorjem in polprevodnikom v '''MOSFET''' (metal-oxide-semiconductor field effect transistor), z močnim električnim poljem na njunem stiku. Z variacijskim principom poišči energijo osnovnega stanja in jo primerjaj s pravo vrednostjo.